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Asif HAMMOUD - 21 octobre 2010 à 10h00 - Médiathèque de l’Insa

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Asif HAMMOUD soutient sa thèse le 21 octobre 2010 à 10h00 - à la MEDIATHEQUE de l’Insa (salle de cours 203 - 2ème étage)

Titre :

Étude des convertisseurs haute tension pour la protection et la coordination des réseaux de distribution

Jury :

  • Directeurs de thèse : Hervé MOREL ; Dominique BERGOGNE
  • Rapporteurs : Stéphane LEFEBVRE ; Yvan AVENAS
  • Examinateurs : Charles JOUVERT ; Serge PELISSIER

Résumé :

Les réseaux électriques sont de plus en plus interconnectés entre eux, et, en particulier, avec de nouveaux systèmes de productions locaux (les énergies renouvelables). L’acheminement vers le réseau de distribution se fera par l’intermédiaire de liaisons en courant continu. Ces liaisons peuvent améliorer le comportement des réseaux à courant alternatif en utilisant des systèmes de contrôle rapides basé sur l’électronique de puissance et la commande. D’un autre côté, le développement rapide dans le domaine d’électronique de puissance a permis d’augmenter les projets de transmission d’énergie par courant continu. Parmi les interrupteurs de puissance en développement, le JFET en SiC est le plus avancé et permet d’imaginer des convertisseurs directement reliés aux réseaux. Dans ce cas il seront exposés aux contraintes du réseau, en particulier les chocs de foudre. L’objectif initial de cette thèse est de montrer la possibilité d’utiliser les JFETs en SiC dans un convertisseur directement relié au réseau de distribution et d’initier une étude sur la robustesse des JFET soumis aux surtensions induites par le choc de foudre. Une étude comparative, à partir de modèles et de données extraites de mesures, permet de penser que, dans certaines applications, l’utilisation des JFET est avantageuses par rapport à l’IGBT. Un dispositif expérimental a été développé pour soumettre un JFET à un choc de foudre et mesurer son comportement dans un bras d’onduleur. Ce dispositif permet d’étudier les 6 cas possibles de fonctionnement du JFET, et prends en compte la polarité du choc. Les premières conclusions montrent que le JFET, dans son environnement de bras d’onduleur, résiste bien aux chocs définis dans la norme et qu’il reste un travail à approfondir sur la modélisation électro-thermique de JFET.