Adrien LAMBERT a soutenu sa thèse le 11/02/2025.
Lieu : amphithéâtre AE2 du bâtiment Gustave Ferrié à l’INSA de Lyon à Villeurbanne.
Analyse de la robustesse de HEMT GaN 650 V durant des courts-circuits répétitifs
Jury :
Rapporteurs :
M. KAMINSKI Nando, Professeur des Universités
M. LEFEBVRE Stéphane, Professeur des Universités
Examinateurs :
Mme MALBERT Nathalie, Professeur des Universités
M. MOREL Hervé, Directeur de Recherche
Encadrement :
M. PLANSON Dominique, Professeur des Universités, Directeur de thèse
M. PHỤNG Luong Việt, Maître de Conférences
Mots-clés :
court-circuits répétitifs, HEMT GaN, semiconducteurs de puissance, robustesse